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元件参数资料
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参数目录42528
> IRFD224PBF MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
型号:
IRFD224PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFD224PBF PDF
产品目录绘图
IR(F,L)D Series Top
IR(F,L)D Series Side 1
IR(F,L)D Series Side 2
标准包装
2,500
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
630mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1.1 欧姆 @ 380mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
260pF @ 25V
功率 - 最大
1W
安装类型
通孔
封装/外壳
4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装
4-DIP,Hexdip,HVMDIP
包装
管件
产品目录页面
1529 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
*IRFD224PBF
查看IRFD224PBF代理商
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